Descripción
Arquitectura 3D V-NAND.
La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.
Sea más productivo gracias a TurboWrite.
La tecnología TurboWrite ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura/escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de su ordenador. Disfrute de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1.9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**.
*PCmark7 (250 GB ): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).
**Escritura aleatoria (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).
Potencia y rendimiento.
El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutará del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid mode).
Resistencia garantizada.
Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía.
*TBW: Bytes totales escritos.
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB).
***Rendimiento constante (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas.
Trabaje durante más tiempo.
Trabaje en su portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
*Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).
La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.
Sea más productivo gracias a TurboWrite.
La tecnología TurboWrite ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura/escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de su ordenador. Disfrute de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1.9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**.
*PCmark7 (250 GB ): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO).
**Escritura aleatoria (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO).
Potencia y rendimiento.
El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutará del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid mode).
Resistencia garantizada.
Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía.
*TBW: Bytes totales escritos.
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB).
***Rendimiento constante (250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas.
Trabaje durante más tiempo.
Trabaje en su portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
*Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO).
Información adicional
| Disco de estado sólido, capacidad | 500 GB |
|---|---|
| Velocidad de escritura | 520 MB/s |
| Interfaces de disco de estado sólido | Serial ATA III |
| Soporte S.M.A.R.T. | Sí |
| Soporte TRIM | Sí |
| Escritura aleatoria (4KB) | 90000 IOPS |
| Lectura aleatoria (4KB) | 98000 IOPS |
| Sistema operativo Windows soportado | Si |
| Velocidad de lectura | 540 MB/s |
| Interno | Sí |
| Color del producto | Negro |
| Factor de forma de disco SSD | 2.5" |
| Golpe (fuera de operación) | 1500 G |
| Peso | 45 g |
| Altura | 6.8 mm |
| Ancho | 69.85 mm |
| Profundidad | 100 mm |
| Intervalo de temperatura de almacenaje | 40 - 85 °C |
| Intervalo de temperatura operativa | 0 - 70 °C |
| Intervalo de humedad relativa durante almacenaje | 5 - 95% |
| Vibración no operativa | 20 G |
| Consumo de energía (escritura) | 0,1 W |
| Velocidad de transferencia de datos | 6 Gbit/s |
| Consumo de energía (espera) | 0,045 W |
| Consumo de energía (lectura) | 0,1 W |
| Unidad, tamaño de búfer | 512 MB |
| Algoritmos de seguridad soportados | 256-bit AES |
| Tiempo medio entre fallos | 1500000 h |
